在微波行业采用能隙工程生产新型半导体结构已有二十多年的历史。利用多量子阱、超晶格和异质结的各种性质，已制造出由分子束外延法和有机金属化学气相沉积法生长的新型半导体。这些带隙原理已应用于MACOM AlGaAs技术的开发，因此推动了PIN二极管射频性能的大幅提升。

•  与等效的GaAs PIN结构相比，改善了回波损耗、插入损耗和P-1dB指标
• 分立式异质结AlGaAs PIN二极管在10 mA偏流条件下展现了将高频插入损耗降低两倍的性能

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